主要技術(shù)指標(biāo)：(1)每臺(tái)真空腔的極限本底真空< 3 　 10-10 Torr。(2) PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1 　 10-3 Torr;臭氧純度> 13%;臭氧導(dǎo)引管需安裝在compact Z stage,移動(dòng)范圍2英寸。 (3) PLD腔帶有6個(gè)1英寸靶源,靶的自轉(zhuǎn)速度> 10 rpm，可用步進(jìn)電動(dòng)機(jī)進(jìn)行靶源切換，帶水冷裝置，靶垂直方向移動(dòng)范圍2英寸。(4)樣品架的Z方向移動(dòng)范圍為2英寸；x,y方向移動(dòng)范圍為0.5英寸；360o主軸轉(zhuǎn)動(dòng)；>±30o面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)；兼容omicron樣品托；氧氣氛圍下可加熱> 900oC；帶水冷裝置。

功能/應(yīng)用范圍：本系統(tǒng)能研究低維度下復(fù)雜氧化物體系的表面和界面，以及空間束縛狀態(tài)下的性質(zhì)。使我們能夠在微觀尺度上重新審視錳氧化物金屬絕緣體相變的各種現(xiàn)象。其中一套脈沖激光分子束外延與變溫掃描隧道顯微鏡大型聯(lián)機(jī)系統(tǒng)，主要做原位分析測(cè)量；另外兩套將是獨(dú)立的脈沖激光分子束外延生長(zhǎng)設(shè)備，用于制備錳氧化物單晶薄膜以及錳氧化物超晶格薄膜樣品，然后利用光刻技術(shù)制備納米線，量子點(diǎn)等，測(cè)試其在空間束縛下的物理性質(zhì)。

主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他