技術指標:溫度:0-80度,側(cè)壁垂直度:89°±1°。工藝氣體:He,SF6,C4F8,O2,Ar。 ICP功率:0-3000W,RF功率:0-300W
儀器用途:主要用于硅材料的高速,深度,大深寬比刻蝕。適用于六寸片及以下尺寸。刻蝕均勻性<±5%。
收費標準:450/30分鐘
機組負責人:張嬪 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
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