FIB測試，SEM測試:

FIB測試，SEM測試

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FIB測試

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FIB測試

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FIB測試

FIB測試，FIB檢測，

FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫,依字面翻譯為聚焦離子束.簡單的說就是將Ga(鎵)元素離子化成Ga+, 然后利用電場加速.再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦,將高能量(高速)的Ga+打到指定的點. 基本原理與SEM類似,僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦離子束是針對樣品進行平面、界面進行微觀分析。檢測流程包括：樣品制定、上機分析、拍照等，最后提供界面相片等數據。
主要用途：
1、電路修正, 用于驗證原型,改善bug，節(jié)省開支，增快上市時間。
2、縱面的結構分析可直接于樣品上處理,不需額外樣品準備。
3、材料分析-TEM樣品制備,用于精確定點試片制作,減低定點試片研磨所需人員經驗的依賴。
4、電壓對比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。
5、Grain(晶粒)形狀大小的判定

SEM測試，SEM檢測。

1. 原理 

SEM的工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級電子，次級電子的多少與電子束入射角有關，也就是說與樣品的表面結構有關，次級電子由探測體收集，并在那里被閃爍器轉變?yōu)楣庑盘枺俳浌怆姳对龉芎头糯笃鬓D變?yōu)殡娦盘杹砜刂茻晒馄辽想娮邮膹姸龋@示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標本的表面結構。

2. 性能

設備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。     

放大倍率：×5～×300,000

設備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。     
放大倍率：×5～×300,000

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