什么是晶閘管模塊|怎么判斷晶閘管模塊質(zhì)量-安侖力供

      眾所周知晶閘管模塊的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)須保證器件的散熱條件。要求在工作過(guò)程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。
      晶閘管模塊的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開(kāi)通能力，它受器件門(mén)極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開(kāi)通時(shí)間和開(kāi)通損耗，增強(qiáng)器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：
      觸發(fā)電流幅值：IGM = (4至10倍) IGT
      觸發(fā)電流上升時(shí)間：tr小于1μs。
晶閘管模塊在承受過(guò)高的di/dt時(shí)，會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫，這種局部瞬時(shí)高溫在長(zhǎng)期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時(shí)候，都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過(guò)器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。
      晶閘管模塊的di/dt與其開(kāi)通損耗關(guān)系極大，晶閘管模塊高di/dt應(yīng)用于高頻率場(chǎng)合時(shí)，需考慮開(kāi)通損耗上升引起的結(jié)溫上升，用戶應(yīng)考慮降低器件通過(guò)的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱 能力。
      綜上所述，增強(qiáng)器件局部瞬時(shí)浪涌時(shí)的溫度承受能力，即晶閘管模塊結(jié)溫上升越小越好，就能大大提升器件的 di/dt能力。要做到這一點(diǎn)，關(guān)鍵是散熱器的瞬態(tài)熱阻要小。
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晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極。