CMP（化學機械拋光）在線檢測是半導體制造中的一個關鍵步驟，它對于確保芯片的性能和產量具有重要意義。
CMP工藝最重要的要求之一是確定何時停止拋光工藝，即終點檢測（EPD）。過度拋光晶片將導致偏離目標膜厚度，從而降低器件性能或產量；而拋光不足的晶圓會導致返工并增加IC制造成本。因此，EPD對CMP工藝起著至關重要的作用。
CMP在線檢測通常依賴于多種測量技術，包括但不限于以下幾種：
光學測量技術：
反射光強度監測：該技術基于不同材料反射光的強度不同。當硅片表面的材料在CMP過程中發生改變時，反射光的強度也會發生變化。檢測這種強度變化可以確定CMP的終點。
干涉法：利用光的干涉原理來工作。當光照射到硅片上時，部分光會從表面反射回來，部分光則會穿過薄膜并從底部反射回來。這兩束光會產生干涉，形成明暗交替的干涉條紋。通過分析這些干涉條紋，可以計算出薄膜的厚度和表面的平坦度。
電學測量技術：
電容檢測：通過監測硅片的電容變化來確定CMP的終點。硅片的電容會隨著研磨過程中材料的改變而改變。例如，當硅片上的介電層被完q研磨掉時，硅片的電容值會突然增大，通過監測這種電容變化，就可以確定CMP的終點。
聲學測量技術：
聲學終點檢測技術主要利用聲音傳感器（通常是高靈敏度的麥克風）捕捉CMP過程中產生的聲音。通過信號處理算法進行分析，以識別出特定的聲音特征，這些特征與硅片表面的特定材料層相關。CMP過程中產生的聲音包含多種頻率成分，不同材料和研磨條件產生的聲音頻率特征是不同的。當研磨進程從一種材料切換到另一種材料時，聲音的頻率特征會發生明顯的變化。監測這種聲音頻率或強度的變化可以用來確定CMP的終點。
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