全自動(dòng)AFM解決了缺陷成像和分析問題，提高缺陷檢測(cè)生產(chǎn)率達(dá)1000%。
帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測(cè)和識(shí)別，使得關(guān)鍵的在線過程能夠通過高分辨率3D成像對(duì)缺陷類型進(jìn)行分類并找出它們的來源。
智能ADR專門為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供缺陷檢測(cè)解決方案，具有自動(dòng)目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記。與傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)方法相比，智能ADR過程提高了1000%的生產(chǎn)率。此外，帕克具有創(chuàng)新性的True-Contact?模式AFM技術(shù)，使得新的ADR有能力提供高達(dá)20倍的更長(zhǎng)的探針壽命。
用于精確、高吞吐量CMP輪廓測(cè)量的低噪聲原子力輪廓儀
低噪聲Park原子力顯微鏡（AFM）與長(zhǎng)距離滑動(dòng)臺(tái)相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）計(jì)量的原子力輪廓儀（AFP）。新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測(cè)量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有*輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復(fù)性。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒有非線性或高噪聲背景去除的精確高度測(cè)量。
超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃級(jí)表面粗糙度測(cè)量
晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的。對(duì)于元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓上超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制。通過提供低于 0.5 ?的業(yè)界噪聲，并將其與真正的非接觸式模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的的亞埃級(jí)粗糙度測(cè)量。Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會(huì)有背景曲率，即使在最平坦的表面上，也不需過多考慮掃描位置、速率和大小。這使得其非常精確和可重復(fù)地對(duì)微米級(jí)粗糙度到長(zhǎng)范圍不平整表面進(jìn)行測(cè)量。
為在線晶圓廠計(jì)量提供高生產(chǎn)率和強(qiáng)大特性
光片和基板的自動(dòng)缺陷檢測(cè)
新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和校正到缺陷的測(cè)量和放大掃描成像的全自動(dòng)缺陷復(fù)查過程，該過程不需要樣品晶片上的任何參考標(biāo)記，是*重映射過程。與掃描電子顯微鏡（SEM）運(yùn)行后在缺陷部位留下方形的破壞性輻照痕跡不同，新的帕克 ADR AFM能夠?qū)崿F(xiàn)*的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和更強(qiáng)的視覺，利用晶圓邊緣和缺口來自動(dòng)實(shí)現(xiàn)缺陷檢查設(shè)備和AFM之間的連接。由于它是*自動(dòng)化的，因此不需要任何單獨(dú)的步驟來校準(zhǔn)目標(biāo)缺陷檢查系統(tǒng)的移動(dòng)平臺(tái)，從而將吞吐量增加到1000%。
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