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  • 可靠性試驗(yàn)與壽命試驗(yàn)?

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  • 對(duì)應(yīng)法規(guī):可靠性試驗(yàn)
    CNAS認(rèn)可項(xiàng)目:是
  • 可靠性試驗(yàn)與壽命試驗(yàn)?

    本文連接:http://www.kekaoxing.club/smskkxsy/325.html

      可靠性試驗(yàn)是為了確定已通過可靠性鑒定試驗(yàn)而轉(zhuǎn)入批量生產(chǎn)的產(chǎn)品在規(guī)定的條件下是否達(dá)到規(guī)定可靠性要求,企業(yè)在為了評(píng)價(jià)分析產(chǎn)品可靠性而進(jìn)行的試驗(yàn)稱,是為預(yù)測(cè)從產(chǎn)品出廠到其使用壽命結(jié)束期間的質(zhì)量情況,選定與市場(chǎng)環(huán)境相似度較高的環(huán)境應(yīng)力后,設(shè)定環(huán)境應(yīng)力程度與施加的時(shí)間,主要目的是盡可能在短時(shí)間內(nèi),正確評(píng)估產(chǎn)品的可靠性。

     

      產(chǎn)品設(shè)計(jì)成型后,必須對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性試驗(yàn),產(chǎn)品可靠性試驗(yàn)是激發(fā)潛在失效模式,提出改進(jìn)措施,確定項(xiàng)目或系統(tǒng)是否滿足預(yù)先制定的可靠性要求的必須步驟。

      可靠性試驗(yàn)與壽命試驗(yàn)方案有哪些?

      1、高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品在高溫存儲(chǔ)的情況下對(duì)產(chǎn)品的影響。有嚴(yán)重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài),是一種不穩(wěn)定態(tài),由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴(yán)重缺陷產(chǎn)品失效的過程,也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡過程。

      試驗(yàn)條件:一般選定一恒定的溫度應(yīng)力和保持時(shí)間。微電路溫度應(yīng)力范圍為75℃至400℃,試驗(yàn)時(shí)間為24h以上。試驗(yàn)前后被試樣品要在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)環(huán)境中,既溫度為25土10℃的環(huán)境中放置一定時(shí)間。多數(shù)的情況下,要求試驗(yàn)后在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)完成終點(diǎn)測(cè)試。

      2、溫度循環(huán)試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力及對(duì)極端高溫和極端低溫環(huán)境的承受能力.是針對(duì)產(chǎn)品熱機(jī)械性能設(shè)置的。當(dāng)構(gòu)成產(chǎn)品各部件的材料熱匹配較差,或部件內(nèi)應(yīng)力較大時(shí),溫度循環(huán)試驗(yàn)可引發(fā)產(chǎn)品由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效。如漏氣、內(nèi)引線斷裂、芯片裂紋等。

      驗(yàn)條件:在氣體環(huán)境下進(jìn)行。主要是控制產(chǎn)品處于高溫和低溫時(shí)的溫度和時(shí)間及高低溫狀態(tài)轉(zhuǎn)換的速率。試驗(yàn)箱內(nèi)氣體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗(yàn)條件的重要因素。

      3、熱沖擊試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品承受溫度劇烈變化,即承受大溫度變化速率的能力。試驗(yàn)可引發(fā)產(chǎn)品由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效.熱沖擊試驗(yàn)與溫度循環(huán)試驗(yàn)的目的基本一致,但熱沖擊試驗(yàn)的條件比溫度循環(huán)試驗(yàn)要嚴(yán)酷得多。

      試驗(yàn)條件:被試樣品是置于液體中。主要是控制樣品處于高溫和低溫狀態(tài)的溫度和時(shí)間及高低溫狀態(tài)轉(zhuǎn)換的速率。試驗(yàn)箱內(nèi)液體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗(yàn)條件的重要因素。

      4、低氣壓試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品對(duì)低氣壓工作環(huán)境(如高空工作環(huán)境)的適應(yīng)能力。當(dāng)氣壓減小時(shí)空氣或絕緣材料的絕緣強(qiáng)度會(huì)減弱;易產(chǎn)生電暈放電、介質(zhì)損耗增加、電離;氣壓減小使散熱條件變差,會(huì)使元器件溫度上升。這些因素都會(huì)使被試樣品在低氣壓條件下喪失規(guī)定的功能,有時(shí)會(huì)產(chǎn)生永久性損傷。

      試驗(yàn)條件:被試樣品置于密封室內(nèi),加規(guī)定的的電壓,從密封室降低氣壓前20min直至試驗(yàn)結(jié)束的一段時(shí)間內(nèi),要求樣品溫度保持在25+-1.0℃的范圍。密封室從常壓降低到規(guī)定的氣壓再恢復(fù)到常壓,并監(jiān)視這‘過程中被試樣品能否正常工作,微電路被試樣品所施加電壓的頻率在直流到20MHz的范圍內(nèi),電壓引出端出現(xiàn)電暈放電被視為失效。試驗(yàn)的低氣壓值是與海拔高度相對(duì)應(yīng)的,并分若干檔.如微電路低氣壓試驗(yàn)的A檔氣壓值是58kPa,對(duì)應(yīng)高度是4572m,E檔氣壓值是1.1kPa,對(duì)應(yīng)高度是30480m等等。

      5、耐濕試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模阂允┘蛹铀賾?yīng)力的方法評(píng)定微電路在潮濕和炎熱條件下抗衰變的能力,是針對(duì)典型的熱帶氣候環(huán)境設(shè)計(jì)的。微電路在潮濕和炎熱條件下衰變的主要機(jī)理是由化學(xué)過程產(chǎn)生的腐蝕和由水汽的浸入、凝露、結(jié)冰引起微裂縫增大的物理過程。試驗(yàn)也考核在潮濕和炎熱條件下構(gòu)成微電路材料發(fā)生或加劇電解的可能性,電解會(huì)使絕緣材料電阻宰發(fā)生變化,使抗介質(zhì)擊穿的能力變?nèi)酢?/p>

      試驗(yàn)條件:潮熱試驗(yàn)有兩種,即文變潮熱試驗(yàn)和恒定潮熱試驗(yàn)。交受潮熱試驗(yàn)要求被試樣品在相對(duì)濕度為90%~100%的范圍內(nèi),用一定的時(shí)間(‘般2.5h)使溫度從25℃上升到65℃,井保持3h以上;然后再在相對(duì)濕度為80%一100%的范圍內(nèi),用一定的時(shí)間(—般2.5 h)使溫度從6s℃下降到25℃,再進(jìn)行一次這樣的循環(huán)后再在任意濕度的情況下將溫度下降到一10 c,并保持3h以上‘再恢復(fù)到溫度為25℃,相對(duì)濕度等于或大于80%的狀態(tài)。這就完成了一次文變潮熱的大循環(huán),大約需要24h。

      6、鹽霧試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模阂约铀俚姆椒ㄔu(píng)定元器件外露部分在鹽霧、潮濕和炎熱條件下抗腐蝕的能力,是針對(duì)熱帶海邊或海上氣候環(huán)境設(shè)計(jì)的.表面結(jié)構(gòu)狀態(tài)差的元器件在鹽霧、湘濕和炎熱條件下外露部分會(huì)產(chǎn)生腐蝕。

      試驗(yàn)條件:鹽霧試驗(yàn)要求被試樣品上不同方位的外露部分都要在溫度、濕度及接收的鹽淀積速率等方面處于相同的規(guī)定條件。這一要求是通過樣品在試驗(yàn)箱內(nèi)放置的相互間的最小距離和樣品的放置角度來滿足的。

      7、輻照試驗(yàn)

      試驗(yàn)?zāi)康模嚎己宋㈦娐吩诟吣芰W虞椪窄h(huán)境下的工作能力。高能粒子進(jìn)入微電路會(huì)使微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化產(chǎn)生缺陷或產(chǎn)生附加電荷或電流。從而導(dǎo)致微電路參數(shù)退化、發(fā)生鎖定、電路翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流引起燒毀失效。輻照超過某一界限會(huì)使微電路產(chǎn)生永久性損傷。

      試驗(yàn)條件:微電路的輻照試驗(yàn)主要有中子輻照和γ射線輻照兩大類。又分總劑量輻照試驗(yàn)和劑量率輻照試驗(yàn)。劑量率輻照試驗(yàn)都是以脈沖的形式對(duì)披試微電路進(jìn)行輻照的。

      在試驗(yàn)中要依據(jù)不同的微電路和不同的試驗(yàn)?zāi)康膰?yán)格控制輻照的劑量串和總劑量。否則會(huì)由于輻照超過界限而損壞樣品或得不到要尋求的閩值。輻照試驗(yàn)要有防止人體損傷的安全措施。

      二、壽命試驗(yàn)

      壽命試驗(yàn)就是研究產(chǎn)品壽命特征的方法,這種方法可在實(shí)驗(yàn)室模擬各種使用條件來進(jìn)行。壽命試驗(yàn)是可靠性試驗(yàn)中最重要最基本的項(xiàng)目之一,它是將產(chǎn)品放在特定的試驗(yàn)條件下考察其失效(損壞)隨時(shí)間變化規(guī)律。

      通過壽命試驗(yàn),可以了解產(chǎn)品的壽命特征、失效規(guī)律、失效率、平均壽命以及在壽命試驗(yàn)過程中可能出現(xiàn)的各種失效模式。如結(jié)合失效分析,可進(jìn)一步弄清導(dǎo)致產(chǎn)品失效的主要失效機(jī)理,作為可靠性設(shè)計(jì)、可靠性預(yù)測(cè)、改進(jìn)新產(chǎn)品質(zhì)量和確定合理的篩選、例行(批量保證)試驗(yàn)條件等的依據(jù)。

      如果為了縮短試驗(yàn)時(shí)間可在不改變失效機(jī)理的條件下用加大應(yīng)力的方法進(jìn)行試驗(yàn),這就是加速壽命試驗(yàn)。通過壽命試驗(yàn)可以對(duì)產(chǎn)品的可靠性水平進(jìn)行評(píng)價(jià),并通過質(zhì)量反饋來提高新產(chǎn)品可靠性水平。

      壽命試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品在規(guī)定的條件下,在全過程工作時(shí)間內(nèi)的質(zhì)量和可靠性。為了使試驗(yàn)結(jié)果有較好代表性,參試的樣品要有足夠的數(shù)量。

      試驗(yàn)條件:微電路的壽命試驗(yàn)分穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)、間歇壽命試驗(yàn)和模擬壽命試驗(yàn)。

      穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)是微電路必須進(jìn)行的試驗(yàn),試驗(yàn)時(shí)要求被試樣品要施加適當(dāng)?shù)碾娫矗蛊涮幱谡5墓ぷ鳡顟B(tài)。國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)的穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)環(huán)境溫度為125℃,時(shí)間為l 000h。加速試驗(yàn)可以提高溫度,縮短時(shí)間。

      功率型微電路管殼的溫度一般大于環(huán)境溫度,試驗(yàn)時(shí)保持環(huán)境溫度可以低于125℃.微電路穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)的環(huán)境溫度或管殼的溫度要以微電路結(jié)溫等于額定結(jié)溫為基點(diǎn)<一般在175℃一200℃之間)進(jìn)行調(diào)整。

      間歇壽命試驗(yàn)要求以一定的頻率對(duì)被試微電路切斷或突然施加偏壓和信號(hào),其它試驗(yàn)條件與穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)相同。

      模擬壽命試驗(yàn)是一種模擬徽電路應(yīng)用環(huán)境的組合試驗(yàn)。它的組合應(yīng)力有機(jī)械、濕度和低氣壓四應(yīng)力試驗(yàn):機(jī)械、溫度、濕度和電四應(yīng)力試驗(yàn)等。

      三、篩選試驗(yàn)

      篩選試驗(yàn)是一種對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)的非破壞性試驗(yàn)

      其目的是為選擇具有一定特性的產(chǎn)品或剔早期失效的產(chǎn)品,以提高產(chǎn)品的使用可靠性。產(chǎn)品在制造過程中,由于材料的缺陷,或由于工藝失控,使部分產(chǎn)品出現(xiàn)所謂早期缺陷或故障,這些缺陷或故障若能及早剔除,就可以保證在實(shí)際使用時(shí)產(chǎn)品的可靠性水平。

      可靠性篩選試驗(yàn)的特點(diǎn)是:

      1、這種試驗(yàn)不是抽樣的,而是100%試驗(yàn);

      2、 該試驗(yàn)可以提高合格品的總的可靠性水平,但不能提高產(chǎn)品的固有可靠性,即不能提高每個(gè)產(chǎn)品的壽命;

      3、不能簡(jiǎn)單地以篩選淘汰率的高低來評(píng)價(jià)篩選效果。淘汰率高,有可能是產(chǎn)品本身的設(shè)計(jì)、元件、工藝等方面存在嚴(yán)重缺陷,但也有可能是篩選應(yīng)力強(qiáng)度太高。

      淘汰率低,有可能產(chǎn)品缺陷少,但也可能是篩選應(yīng)力的強(qiáng)度和試驗(yàn)時(shí)間不足造成的。通常以篩選淘汰率Q和篩選效果β值來評(píng)價(jià)篩選方法的優(yōu)劣:合理的篩選方法應(yīng)該是β值較大,而Q值適中。

      四、現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)

      上述各種試驗(yàn)都是通過模擬現(xiàn)場(chǎng)條件來進(jìn)行的。模擬試驗(yàn)由于受設(shè)備條件的限制,往往只能對(duì)產(chǎn)品施加單一應(yīng)力,有時(shí)也可以施加雙應(yīng)力,這與實(shí)際使用環(huán)境條件有很大差異,因而未能如實(shí)地、全面地暴露產(chǎn)品的質(zhì)量情況。

      現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)則不同,因?yàn)樗窃谑褂矛F(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行,故最能真實(shí)地反映產(chǎn)品的可靠性問題,所獲得的數(shù)據(jù)對(duì)于產(chǎn)品的可靠性預(yù)測(cè)、設(shè)計(jì)和保證有很高價(jià)值。對(duì)制定可靠性試驗(yàn)計(jì)劃、驗(yàn)證可靠性試驗(yàn)方法和評(píng)價(jià)試驗(yàn)精確性,現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)的作用則更大。

      五、鑒定試驗(yàn)

      鑒定試驗(yàn)是對(duì)產(chǎn)品的可靠性水平進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)而做的試驗(yàn)。它是根據(jù)抽樣理論制定出來的抽樣方案。在保證生產(chǎn)者不致使質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品被拒收的條件下進(jìn)行鑒定試驗(yàn)。

      可靠性鑒定試驗(yàn)分兩類:一類為產(chǎn)品可靠性鑒定試驗(yàn),一類為工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗(yàn)

      產(chǎn)品可靠性鑒定試驗(yàn)一般是在新產(chǎn)品設(shè)計(jì)定型和生產(chǎn)定型時(shí)進(jìn)行。目的是考核產(chǎn)品的指標(biāo)是否全面達(dá)到了設(shè)計(jì)要求,考核產(chǎn)品是否達(dá)到了預(yù)定的可靠性要求。試驗(yàn)的內(nèi)容一般與質(zhì)量一致性檢驗(yàn)一致,既A、B、c、D四組試驗(yàn)都做,有抗輻射強(qiáng)度規(guī)定產(chǎn)品也做要E組試驗(yàn)。當(dāng)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料或工藝有重大改變時(shí)也要做可靠性鑒定試驗(yàn)。

      工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗(yàn)用于考核生產(chǎn)線對(duì)材料和工藝的選擇及控制能力是否能保證所制造的產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,是否能滿足某種質(zhì)景保證等級(jí)的要求。

      其他常用的電子產(chǎn)品可靠性試驗(yàn)介紹

      恒定加速度試驗(yàn)

      該試驗(yàn)?zāi)康氖强己税岭娐烦惺芎愣铀俣鹊哪芰ΑK梢员┞队晌㈦娐方Y(jié)構(gòu)強(qiáng)度低和機(jī)械缺陷引起的失效。如芯片脫落、內(nèi)引線開路、管殼變形、漏氣等。

      試驗(yàn)條件:在微電路芯片脫出方向、壓緊方向和與該方向垂直的方向施加大于1 mm的恒定加速度,加速度取值范圍一般取為49 000m/s:-1 225 000m/sV5 000~125 000z)之間。試驗(yàn)時(shí)微電路的殼體應(yīng)剛性固定在恒定加速器上。

      機(jī)械沖擊試驗(yàn)

      該試驗(yàn)?zāi)康氖强己宋㈦娐烦惺軝C(jī)械沖擊的能力。即考核微電路承受突然受力的能力。在裝卸、運(yùn)輸、現(xiàn)場(chǎng)工作過程中會(huì)使微電路突然受力。如跌落、碰撞時(shí)微電路會(huì)受到突發(fā)的機(jī)械應(yīng)力.這些應(yīng)力可能引起微電路的芯片脫落、內(nèi)引線開路、管殼變形、漏氣等失效。

      試驗(yàn)條件:試驗(yàn)時(shí)微電路的殼體應(yīng)剛性固定在試驗(yàn)臺(tái)基上,外引線要施加保護(hù)。對(duì)微電路的芯片脫出方向、壓緊方向和與該方向垂直的方向各施加五次半正弦波的機(jī)械沖擊脈沖。沖擊脈沖的峰值加速度取值范圍—般取為4900m/s2~294 000m/s2(500g~30 000g)脈沖持續(xù)時(shí)間為0.1ms—1.0ms,允許失真不大于峰值加速度的20%。

      機(jī)械振動(dòng)試驗(yàn)

      振動(dòng)試驗(yàn)主要有四種,即掃頻振動(dòng)試驗(yàn)、振動(dòng)疲勞試驗(yàn)。振動(dòng)噪聲試驗(yàn)和隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)。目的是考核微電路在不同振動(dòng)條件下的結(jié)構(gòu)牢固性和電特性的穩(wěn)定性。

      掃頻振動(dòng)試驗(yàn)使微電路作等幅諧振動(dòng),其加速度峰值一般分為196 m/s:(20e)、490m/s2(50g)和686m/s2(70g)三檔.振動(dòng)頻率從20Hz一2 000Hz范圍內(nèi)隨時(shí)間校對(duì)數(shù)變化。振動(dòng)頻率從20Hz~2 000Hz再回到20Hz的時(shí)間要求不小于4mm,并且在互相垂直的三個(gè)方向上(其中一個(gè)方向與芯片垂直)各進(jìn)行五次。

      振動(dòng)疲勞試驗(yàn)也要使微電路作等幅諧振動(dòng),但是其振動(dòng)頻率是固定的,一般為幾十到幾百赫茲,其加速度峰值一般也分為196m/s2(20g)、490m/s2(50g)和686m/s2(70g)三檔。在互相垂直的三個(gè)方向上(其中一個(gè)方向與芯片垂直)各進(jìn)行一次,每次的時(shí)間大約為32h。

      隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)的試驗(yàn)條件是模擬各種現(xiàn)代化現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下可能產(chǎn)生的振動(dòng)。隨機(jī)振動(dòng)的振幅具有高斯分布。加速度譜密度與頻率的關(guān)系是特定的。頻率范圍為幾十到2000Hz。

      振動(dòng)噪聲試驗(yàn)的試驗(yàn)條件與掃頗振動(dòng)試驗(yàn)基本相同。使微電路作等幅諧振動(dòng),其加速度峰值一般不小于196m/s2(20g).振動(dòng)頻率從20Hs一2000Hz范圍內(nèi)隨時(shí)間按對(duì)數(shù)變化.振動(dòng)頻率從20Hz一2000Hz再回到20Hz的時(shí)間要求不小于4min,并且在互相垂直的三個(gè)方向上(其中一個(gè)方向與芯片垂直)各進(jìn)行1次。

      但是微電路要施加規(guī)定的電壓和電流。測(cè)量在試驗(yàn)過程中在規(guī)定負(fù)載電阻上的最大噪聲輸出電壓是否超出了規(guī)定值。

      鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)

      該試驗(yàn)?zāi)康氖菣z驗(yàn)微電路封裝內(nèi)部的內(nèi)引線與芯片和內(nèi)引線與封裝體內(nèi)外引線端鍵合強(qiáng)度.分為破壞性鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)和非破壞性鍵合強(qiáng)度試驗(yàn).鍵合強(qiáng)度差的微電路會(huì)出現(xiàn)內(nèi)引線開路失效。

      試驗(yàn)要求在鍵合線中部對(duì)鍵合線施加垂直微電路;芯片方向指向芯片反方向的力,施力要從零開始緩慢增加,避免沖擊力。若設(shè)定一個(gè)力,當(dāng)施力增加到該力時(shí)停止餡力,且此力應(yīng)不大于最小鍵合力規(guī)定值的80%,則試驗(yàn)稱為非破壞性鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)。

      若試驗(yàn)時(shí)施力增加到鍵合斷裂時(shí)停止,稱破壞性健合強(qiáng)度試驗(yàn)。健合強(qiáng)度試驗(yàn)?zāi)康氖菍?duì)微電路鍵合性能作批次性評(píng)價(jià),所以要有足夠多的試驗(yàn)樣品.非破壞性鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)有時(shí)作為篩選試驗(yàn)項(xiàng)目。

      芯片附著強(qiáng)度試驗(yàn)

      該試驗(yàn)?zāi)康氖强己诵酒c管殼或基片結(jié)合的機(jī)械強(qiáng)度。芯片附著強(qiáng)度試驗(yàn)有兩個(gè),即芯片與基片/底座附著強(qiáng)度試驗(yàn)和剪切力試驗(yàn).前者是考核芯片承受垂直芯片脫寓基片/底座方向受力的能力。后者是考核芯片承受平行芯片與基片/底座結(jié)合面方向受力的能力。

      試驗(yàn)要求嚴(yán)格控制施加力的方向,且避免沖擊力。該試驗(yàn)的判據(jù)力與芯片面積成正比,且與脫落后界面附著痕跡面積與芯片面積的比值有關(guān).附著痕跡面積小,意味著結(jié)合性能差,判據(jù)力要加嚴(yán)。

      粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)

      粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)(PIND:Particle Impact Noise Detection)的目的是檢驗(yàn)微電路空腔封裝腔體內(nèi)是否存在可動(dòng)多余物。

      可動(dòng)導(dǎo)電多余物町能導(dǎo)致微電路內(nèi)部短路失效。試驗(yàn)原理是對(duì)微電路施加適當(dāng)?shù)臋C(jī)械沖擊應(yīng)力使沾附微電路腔體內(nèi)的多余物成為可動(dòng)多余物。再同時(shí)施加振動(dòng)應(yīng)力,使可動(dòng)多余物產(chǎn)生振動(dòng),振動(dòng)的多余物與腔體壁撞擊產(chǎn)生噪聲。

      通過換能器檢測(cè)噪聲。試驗(yàn)要求將微電路最大的扁平面借助于粘附劑安裝在換能器上,先施以峰值加速度為(9 800+-1 960)m/s2延續(xù)時(shí)間不大于100μs沖擊脈沖。

      然后再施以頻串為40Hz一250Hz,峰值加速度為196m/s2振動(dòng),隨后再使沖擊應(yīng)力與振動(dòng)應(yīng)力同時(shí)施加和單獨(dú)施加振動(dòng)應(yīng)力,交替進(jìn)行一定次數(shù),若檢測(cè)出噪聲,則表示微電路腔體內(nèi)有可動(dòng)多余物。

      有的微電路內(nèi)引線較長(zhǎng)。長(zhǎng)引線的顫動(dòng)也可能檢測(cè)出噪聲,改變振動(dòng)頻率,噪聲有變化時(shí)其噪聲往往是由長(zhǎng)引線的顫動(dòng)產(chǎn)生的。所用粘附劑應(yīng)對(duì)其傳送的機(jī)械能量有較小的衰減系數(shù).沖擊脈沖的峰值加速度、延續(xù)時(shí)間和次數(shù)應(yīng)嚴(yán)格控制,否則試驗(yàn)可能是破壞性的。

      靜電放電敏感度試驗(yàn)

      靜電放電敏感度試驗(yàn)可以給出微電路承受靜電放電的能力。它是破壞性試驗(yàn)。

      試驗(yàn)方法是模擬人體、設(shè)備或器件放電的電流波形,按規(guī)定的組合及順序?qū)ξ㈦娐返母饕龆朔烹姟ふ页霭岭娐樊a(chǎn)生損傷的閥值靜電放電電壓。以微電路敏感電參數(shù)的變化量超過規(guī)定值的最小靜電放電電壓,作為微電路抗靜電放電的能力的表征值。


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