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德國BATOP PSFL1030光纖激光器 MCT-1064-90ps激光微芯片激光組件

這真不是您需要的產(chǎn)品？
品　　牌：
BATOP

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出廠價：
0

主要規(guī)格：
930~3000nm

用　　途：
激光實驗配件

維爾克斯光電和德國BATOP公司有著緊密和深入的合作，能夠迅速響應(yīng)用戶對光纖激光器、1064nm激光芯片和激光組件的報價和交貨需求。 PSFL1030 皮秒光纖激光評估套件 BATOP的PSFL1030評估套件允許用戶在1030 nm波長使用，配置了可飽和吸收鏡，可作為非線性光學(xué)器件的被動鎖模器件和激光諧振腔。光纖激光器的設(shè)計可以很容易的研究改變某些參數(shù)對激光輸出信號的影響。用戶能夠在1030n構(gòu)建自己的ps光纖激光裝置，支持對被動鎖模摻鐿光纖激光器的實驗現(xiàn)象的理解。以下的光纖激光器的配置可以通過PSFL1030皮秒光纖激光評估套件實現(xiàn)：被動鎖模皮秒光纖激光器的可飽和吸收鏡（SAM）使用一個光纖布拉格光柵（FBG）分散控制 PS振蕩器+光纖放大器的組合 1030nm連續(xù)波光纖激光器放大的自發(fā)輻射（ASE）的寬帶發(fā)射。 PSFL1030評估套件包含了980 nm泵浦激光二極管和激光二極管控制器運(yùn)行，得到1030nm的皮秒光纖激光輸出。測量激光輸出參數(shù)除了PSFL1030評估套件，還需要如下附加設(shè)備：光功率計測量激光輸出平均功率快速光電二極管激光輸出信號跟蹤的時間依賴性 200 MHz示波器測量光電二極管的輸出信號可選：OSA（光譜分析儀）測量的光譜強(qiáng)度可選：脈寬測量的自相關(guān)器 PSFL1030 皮秒光纖激光評估套件的參數(shù) 皮秒光纖激光器評估套件，被動鎖模光纖激光器，波長1030 nm， ~ 3 ps脈沖持續(xù)時間，脈沖能量~ 50 PJ，重復(fù)率50 - 100兆赫，泵浦波長975 nm。 BATOP 1064nm激光微芯片微芯片（MC，BATOP 1064nm激光微芯片）是由可飽和吸收體結(jié)合Nd:YVO4 激光晶體。如果使用波長為808 nm的被動調(diào)Q激光器泵浦，其就可以產(chǎn)生脈沖激光輻射的波長在1064 nm激光。 BATOP 1064nm激光芯片的優(yōu)勢是其重復(fù)頻率和泵浦能量有關(guān)，隨著泵浦能量的增加，1064nm芯片的重復(fù)頻率也隨著增加，而輸出激光的脈寬和單脈沖能量都不變。寄激光輸出是線性的。 BATOP 1064nm激光微芯片的應(yīng)用領(lǐng)域：微加工光探測和測距（LIDAR）精密測量頻率轉(zhuǎn)換 BATOP 1064nm激光微芯片的型號和參數(shù) BATOP 1064nm激光微芯片可分為兩大類：反射式和透射式。 1）MC：反射模式芯片 Nd∶YVO4激光晶體與可飽和吸收鏡結(jié)合（SAM）。激光束在泵浦光的反方向，必須使用一個二分鏡從泵浦光中分離。激光輸出與偏振方向垂直于銅熱沉槽中的偏振方向的直線偏振光。 2）MCT：傳輸模式芯片 Nd∶YVO4激光晶體結(jié)合在可飽和吸收耦合輸出鏡（SOC）上。激光輸出光束與泵浦光束的方向相同。激光輸出為線偏振。下面是BATOP 1064nm激光微芯片的型號參數(shù)。 MC-1064-100ps 反射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 100 ps, 脈沖能量 ~ 20 nJ, 重復(fù)頻率 80 kHz - 700 kHz pump wavelength 808 nm MC-1064-240ps 反射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 240 ps, 脈沖能量 ~ 30 nJ, 重復(fù)頻率 50 kHz - 800 kHz pump wavelength 808 nm MCT-1064-90ps 透射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 90 ps, 脈沖能量 ~ 100 nJ, 重復(fù)頻率 20 kHz - 400 kHz pump wavelength 808 nm MCT-1064-220ps 透射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 220 ps, 脈沖能量 ~ 160 nJ, 重復(fù)頻率 20 kHz - 400 kHz pump wavelength 808 nm BATOP激光組件、激光元件德國BATOP還提供一系列的激光元件和組件，包括窄帶通濾波器、長通濾波器和broadband gold mirror。尺寸很小的反射鏡（幾mm）或長通濾波器需要這樣的設(shè)備，可以在單晶GaAs襯底上使用。單晶GaAs具有良好的導(dǎo)熱系數(shù)55 W/(m*K)，可以切割成小的矩形芯片由于其立方晶體結(jié)構(gòu)。 Au-M-4x4 Gold mirror on GaAs substrate area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm Au-M-2x2 Gold mirror on GaAs substrate area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm Au-M-1.3x1.3 Gold mirror on GaAs substrate area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm B-M-1030nm-4x4 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm B-M-1030nm-2x2 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm B-M-1030nm-1.3x1.3 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm LPF-900-5x5 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm chip area: 5.0 mm x 5.0 mm, chip thickness 0.625 mm LPF-900-4x4 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm chip area: 4.0 mm x 4.0 mm, chip thickness 0.625 mm LPF-900-2x2 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm chip area: 2.0 mm x 2.0 mm, chip thickness 0.625 mm

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