- 您所在的位置：首頁(yè)
儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：10MHz至50GHz2端口(單信號(hào)源)或4端口(2個(gè)內(nèi)置信號(hào)源)127dB系統(tǒng)和132dB接收機(jī)動(dòng)態(tài)范圍、32,001個(gè)點(diǎn)、200個(gè)通道、15MHz中頻帶寬大輸出功率(+13dBm)和寬功率掃描...
上海浦東新區(qū)
-
-
聯(lián)系人：李俊(15121044230)、朱文清(13601675090) 儀器簡(jiǎn)介： 測(cè)量可見光譜 主要技術(shù)指標(biāo)： 測(cè)量光譜范圍：380-780nn...
上海寶山區(qū)
-
-
聯(lián)系人：朱文清(56334387) 儀器簡(jiǎn)介： 該設(shè)備主要用于在真空條件下蒸發(fā)各種有機(jī)薄膜。 主要技術(shù)指標(biāo)： 蒸發(fā)室尺寸：&...
上海寶山區(qū)
-
-
聯(lián)系人：徐靜(18616382643)、樓燕燕(18930057056) 儀器簡(jiǎn)介： 主要配置：微波光電導(dǎo)衰減法：激發(fā)波長(zhǎng)905nm，最小掃描步長(zhǎng)1mm。LBIC四個(gè)激發(fā)波長(zhǎng)：408nm，...
上海寶山區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：樣品臺(tái)X:80mmY:40mmZ:40mmT:-30°～60°R:360degrees(endless)SEM部二次電子圖像分辨率3.5nm(30kV)放大倍數(shù)×20～×300,000加速電...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：壓痕：加載范圍：25uN-100mN有效載荷分辨率1nN最大壓痕深度100um劃痕：劃痕正向力范圍1mN-1000mN最大摩擦力1N摩擦力分辨率6uN最大劃痕深度 200 mm最大劃痕長(zhǎng)度12...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：這是一套進(jìn)行XPS和UPS測(cè)量的高分辨低溫光電子譜儀。譜儀的真空度為1E-8Pa。電子能量分辨率為3meV，動(dòng)量分辨率為0.1度。樣品處最低溫度為7.2K。 功能...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：溫度區(qū)間：1.8-400K；降溫速度：30K/min,300K>T>10K;10K/min,10K>T>1.8K樣品腔內(nèi)徑：9mm;磁場(chǎng)強(qiáng)度：0-7特斯拉；磁場(chǎng)均勻度：4cm范圍內(nèi)達(dá)到0.01%；勵(lì)磁...
上海楊浦區(qū)
-
-
鍍層厚度測(cè)試
廣東
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：5X--100X物鏡光學(xué)鏡頭， 功能/應(yīng)用范圍：材料型貌觀察。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶 首飾電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：1.點(diǎn)分辨率2.3A；2.信息分辨率1A；3.場(chǎng)發(fā)射電子槍；4.2k′2kCCD替代普通相機(jī)；5.最小束斑直徑1nm 功能/應(yīng)用范圍：1.微觀形貌結(jié)構(gòu)觀測(cè)；2.在位成分...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：掃描范圍100um(微米)，縱向分辨率優(yōu)于1A(埃)，橫向分辨率優(yōu)于1nm(納米)。 功能/應(yīng)用范圍：掃描探針顯微鏡(SPM)的納米量級(jí)的分辨率和光學(xué)顯微鏡的...
上海楊浦區(qū)
-
-
基本原理：以SEM為基礎(chǔ)；用鎵(Ga)離子束代替電子束；最小束斑直徑達(dá)到10nm；用于精密切割；通過二次電子對(duì)切割效果進(jìn)行觀察；通過在樣品表面鍍W或Pt來保護(hù)切割邊緣；...
廣東
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：(1)深度分辨率：幾個(gè)納米；(2)空間分辨率：<一個(gè)微米；(3)質(zhì)量分辨率：m/m5000(4)檢測(cè)靈敏度：ppmppb；(5)絕緣層厚度為幾個(gè)微米的樣品質(zhì)譜分析 功能...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：真空度達(dá)1X10-6乇，襯底溫度可達(dá)100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應(yīng)用范圍：有2個(gè)DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜，...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應(yīng)用范圍：材料微細(xì)加工及樣品制備。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
-
-
分辨率：高壓模式：3nm，低壓模式：4nm放大倍數(shù)：5~100萬倍檢測(cè)元素：Be4-PU94最大樣品直徑：200mm圖象模式：二次電子、背散射應(yīng)用范圍：1．材料組織形貌觀察，如斷口顯微...
廣東
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
-
-
顯微硬度測(cè)試參考URL：http://www.mttlab.com
廣東
