高溫高濕反偏測(cè)試臺(tái)（H3TRB）可靠性測(cè)試設(shè)備廠家直供

ST-H3TRB_X  

可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）
 

♦高溫高濕反偏測(cè)試臺(tái)（H3TRB）?產(chǎn)品簡(jiǎn)述
      該試驗(yàn)系統(tǒng)是依據(jù) GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)器件測(cè)試，將柵極與發(fā)射極短接，在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓，同時(shí)檢測(cè)直流電壓與漏電流的值。測(cè)試需有傳感器直接檢測(cè) IGBT 模塊殼溫，并可通過(guò)軟件輸入模塊結(jié)殼熱阻，結(jié)合產(chǎn)生的耗散功率，當(dāng)溫度與漏電流超過(guò)設(shè)定值后，切斷電源，給出警告信號(hào)。此設(shè)備是電力電子器件環(huán)境老化測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下器件的漏電流。系統(tǒng)*大測(cè)試電壓5000V（可擴(kuò)展至10KV）。可以實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT器件集電極-發(fā)射極電壓Vce、集電極發(fā)射極電流Ices、殼溫Tc 、時(shí)間等各項(xiàng)參數(shù)的檢測(cè)，根據(jù)程序設(shè)定自動(dòng)完成測(cè)試，記錄保存測(cè)試數(shù)據(jù)并且可以瀏覽和導(dǎo)出。
      測(cè)試夾具采用氣動(dòng)控制單面加熱型。工作時(shí)通過(guò)溫控儀和其他控制系統(tǒng)設(shè)定溫度和時(shí)間，具備自動(dòng)檢測(cè)溫度、超溫報(bào)警、超壓報(bào)警、過(guò)流保護(hù)及安全連鎖、緊停等功能，異常時(shí)切斷主電源

♦高溫高濕反偏測(cè)試臺(tái)（H3TRB）產(chǎn)品使用
? 可以通過(guò)計(jì)算機(jī)設(shè)定試驗(yàn)參數(shù)（Vce、Ices、Tc、時(shí)間、采樣周期）和監(jiān)控參數(shù)（Vce、Ice、Tc、T，實(shí)時(shí)采集并記錄試驗(yàn)過(guò)程中每個(gè)工位的溫度（Tc）、時(shí)間、電壓、漏電流等，并可隨時(shí)瀏覽數(shù)據(jù)。
? 當(dāng)被測(cè)器件失效時(shí)（Ices超限），系統(tǒng)能自動(dòng)檢測(cè)、報(bào)警，并可及時(shí)切斷高壓電源（不需要中斷加熱），停止試驗(yàn)，該失效點(diǎn)的詳細(xì)數(shù)據(jù)會(huì)被記錄下來(lái)，并記錄失效時(shí)間節(jié)點(diǎn)。
? 試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存可以設(shè)定保存的時(shí)間間隔，設(shè)定時(shí)間范圍為：10s-600s，但當(dāng)器件檢測(cè)失效時(shí)，可以自動(dòng)保存失效前至少一個(gè)采樣時(shí)間周期的詳細(xì)數(shù)據(jù)，有助于對(duì)器件失效進(jìn)行分析。
? 該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可以將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)換為“EXCEL”并保存。
? 安全防護(hù)1：該設(shè)備具有超溫保護(hù)、安全聯(lián)鎖等。
? 安全防護(hù)2：配備獨(dú)立于溫控系統(tǒng)的干觸點(diǎn)超溫保護(hù)裝置，在電路的發(fā)熱位置配溫度傳感器，一旦有異常超溫現(xiàn)象，發(fā)出警報(bào)并自動(dòng)切斷設(shè)備電源。
? 安全防護(hù)3：設(shè)備操作門(mén)配有安全連鎖開(kāi)關(guān)，操作面板配置急停開(kāi)關(guān)，保證測(cè)試及設(shè)備維護(hù)時(shí)人員安全。

♦高溫高濕反偏測(cè)試臺(tái)（H3TRB）電氣原理圖
依據(jù)GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。原理圖如下所示      說(shuō)明：將被測(cè)IGBT柵極與發(fā)射極短接，在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓，同時(shí)檢測(cè)直流電壓與漏電流的值，輸出給隔離板并反饋給計(jì)算機(jī)，來(lái)顯示實(shí)時(shí)的電壓和電流值。測(cè)試過(guò)程中有溫度傳感器直接檢測(cè) IGBT 模塊殼溫，通過(guò)模擬隔離板后反饋給計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)溫度。
      其中，被測(cè)兩端的電壓可以通過(guò)計(jì)算機(jī)程序控制輸出給高壓直流電源。漏電流和溫度的保護(hù)值可以通過(guò)計(jì)算機(jī)程序設(shè)定，如達(dá)到設(shè)定保護(hù)值，設(shè)備控制系統(tǒng)保護(hù)，并通過(guò)計(jì)算機(jī)程序主頁(yè)面下的故障顯示和面板保護(hù)指示燈顯示。
 

產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)測(cè)試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動(dòng)態(tài)測(cè)試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化測(cè)試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測(cè)試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件